p-Hg1-xCdxTe材料中轻空穴的性质研究

摘要：

通过变磁场霍尔测量方法,采用由迁移率谱和多载流子拟合过程相结合的混合电导法,在1.2-300K范围内,获得了两块分子束外延(MBE)生长的p-Hg1-xCdxTe(x=0.224)样品中的轻、重空穴以及体电子、表面电子的浓度和迁移率.此外,在实验中,还直接观察到了轻空穴对电导张量分量的贡献.实验值不仅具有明确的物理意义,而且有助于红外探测器模型的建立.

机标关键词：材料、迁移率谱、探测器模型、分子束外延、直接观察、物理意义、实验值、空穴对、电子、电导张量、测量方法、载流子、电导法、变磁场、样品、浓度、拟合、霍尔、红外、分量

所属期刊栏目：49

分类号：O4(物理学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：959-964