10.3321/j.issn:1000-3290.2000.03.005
K3C60晶体中的电子屏蔽效应
用屏蔽的静电库仑相互作用势,引入各离子的屏蔽参数,并考虑离子间的短程相互作用,计算了K3C60晶体中各离子和原胞的结合能随屏蔽参数的变化.分析计算表明K3C60晶体中电子的屏蔽主要是指对钾离子势能的屏蔽,特别是对四面体空隙中的钾离子K+T,虽然屏蔽参数很小,但对晶体结构的稳定极为重要.
晶体结构、电子屏蔽效应、屏蔽参数、钾离子、短程相互作用、相互作用势、离子势能、计算表、四面体、结合能、空隙、静电
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O4(物理学)
广东省博士启动基金9453201
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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