AlGaInP/GaAs HBT制备中质子注入隔离

摘要：

对HBT工艺中质子隔离注入及其掩膜方法进行了研究.通过计算确定了最佳注入剂量.在一定的温度下退火,可增强隔离效果,最佳退火温度依赖于离子注入剂量,当温度增高时,电阻率又开始下降,并趋向恢复到退火前的状态.采用Si3N4加光刻胶双层掩膜,工艺简单,重复性好,样品无沾污现象,隔离效果佳,制备的器件直流特性较好.

机标关键词：质子注入、隔离效果、离子注入剂量、温度依赖、退火、直流特性、掩膜、计算确定、工艺、重复性、膜方法、光刻胶、电阻率、状态、沾污、增强、样品、趋向、器件

所属期刊栏目：49

分类号：O4(物理学)

资助基金：科技部专项基金97-773-03-01

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：275-278