10.3321/j.issn:1000-3290.2000.02.038
AlGaInP/GaAs HBT制备中质子注入隔离
对HBT工艺中质子隔离注入及其掩膜方法进行了研究.通过计算确定了最佳注入剂量.在一定的温度下退火,可增强隔离效果,最佳退火温度依赖于离子注入剂量,当温度增高时,电阻率又开始下降,并趋向恢复到退火前的状态.采用Si3N4加光刻胶双层掩膜,工艺简单,重复性好,样品无沾污现象,隔离效果佳,制备的器件直流特性较好.
质子注入、隔离效果、离子注入剂量、温度依赖、退火、直流特性、掩膜、计算确定、工艺、重复性、膜方法、光刻胶、电阻率、状态、沾污、增强、样品、趋向、器件
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O4(物理学)
科技部专项基金97-773-03-01
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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275-278