Si(111)表面在NH3气氛下形成Si3N4薄膜的STM研究

摘要：

利用扫描隧道显微镜(STM)对Si(111)在氨气气氛下进行氮化所获得的氮化硅薄膜形貌和表面结构进行了系统分析,结果表明在1075-1275 K的温度下对Si(111)进行氮化可以获得较平整的晶态β-Si3N4薄膜,并在氮化膜表面观察到了Si3N4(0001)表面的(4×4)再构.

机标关键词：表面结构、薄膜形貌、氮化硅、扫描隧道显微镜、系统分析、表面观察、温度、晶态、氨气

所属期刊栏目：49

分类号：O4(物理学)

资助基金：香港研究资助局资助项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：215-219