Co-SiO2颗粒膜的巨磁电阻效应

摘要：

采用离子束溅射方法在玻璃基片上制备了一系列的Co-SiO2颗粒膜样品,并对样品的巨磁电阻效应进行了研究.在Co35(SiO2)65(体积百分比)颗粒膜样品中,观测到室温下近4%的巨磁电阻效应.研究了不同基片温度对巨磁电阻效应的影响并发现,随着基片温度的升高样品的巨磁电阻效应下降.根据样品的电阻率-温度关系曲线分析,在铁磁金属-非磁绝缘介质颗粒膜中,除了电子自旋相关隧穿效应外,可能还存在其他的导电机制.

机标关键词：颗粒膜、巨磁电阻效应、样品、基片温度、体积百分比、自旋相关、温度关系、铁磁金属、隧穿效应、曲线分析、绝缘介质、溅射方法、导电机制、玻璃基片、室温下、离子束、电阻率、观测、非磁、电子

所属期刊栏目：49

分类号：O4(物理学)

资助基金：中国科学院资助项目1989031014;科技部攀登计划NMS-07;国家自然科学基金BK97039

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：128-131