InGaAs/InGaAsP/InP等异质结构体材料最窄能带隙的实验确定

摘要：

报道了几种典型的光压谱(PVS)和光荧光谱(PLS);比较了PVS中吸收边Eα和PLS中峰能值Ep的关系;分析指出,最窄能带隙Eg=Ep-1/2KT=Eα;理论分析和实验结果一致.讨论了异质材料多重结的PVS问题.

机标关键词：异质结构体材料、能带隙、实验确定、异质材料、理论分析、光荧光谱、吸收边

所属期刊栏目：49

分类号：O4(物理学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：119-123