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10.19655/j.cnki.1005-4642.2021.01.004

椭偏法测量拓扑绝缘体的复折射率

引用
采用椭偏法测量了拓扑绝缘体Bi2Te3单晶的复折射率.运用经典的德鲁德和托克-洛伦兹模型分别对拓扑绝缘体表面态和体态进行拟合,获得了其折射率和消光系数,并分析了色散曲线的变化规律.结果 表明:Bi2 T e3拓扑绝缘体的体态具有类半导体特性(含带隙),折射率在近红外波段可达7以上;表面态具有类金属特性,厚度约为2.52 nm.

椭偏法、拓扑绝缘体、Bi2Te3、复折射率、消光系数

41

O482.3(固体物理学)

国家自然科学基金项目;陕西省自然科学基础研究计划项目

2021-02-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

22-26

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1005-4642

22-1144/O4

41

2021,41(1)

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