薄膜结构对Si/SiO2 Ⅰ-Ⅴ特性的影响

摘要：

用射频磁控溅射法制备了3种结构的Si/SiO2纳米薄膜,测定了薄膜的I-V特性. 实验结果分析表明,薄膜结构是影响其I-V特性的主要因素.

关键词：射频磁控溅射、Si/SiO2纳米薄膜、I-V特性

分类号：O484.42(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目10874140;甘肃省自然科学基金资助项目0710RJZA105;教育部科学技术研究资助项目204139;甘肃农业大学理学院青年教师科研基金资助项目lxy_02

在线出版日期：2009-05-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：10-13