刻蚀与退火对GaN欧姆接触的影响

摘要：

使用干法刻蚀在GaN LED晶片上刻蚀n区,用电子束蒸发方法在n型GaN表面上淀积Ti/Al双金属层作为接触电极,在N2环境中进行退火.探讨不同的刻蚀方法和刻蚀条件及不同的退火条件对Ti/Al-n型GaN间欧姆接触的影响.

关键词：n-GaN、欧姆接触、刻蚀、退火

所属期刊栏目：28

分类号：O484.42(固体物理学)

在线出版日期：2008-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：8-13