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10.3969/j.issn.1005-4642.2007.08.001

溅射条件对Ni80Fe20薄膜各向异性磁电阻的影响

引用
研究了基片温度和溅射气压对磁控溅射方法制备的Ni80Fe20磁性薄膜各向异性磁电阻的影响.实验发现基片温度是影响Ni80Fe20薄膜各向异性磁电阻最重要的因素.在较高的基片温度下,溅射气压对Ni80Fe20薄膜各向异性磁电阻也有较大的影响.基片温度在150~180 ℃,溅射气压在0.3~0.5 Pa范围内制备的Ni80Fe20薄膜有较大的各向异性磁电阻(3.7%~4.3%).

Ni80Fe20薄膜、各向异性磁电阻、基片温度、溅射气压

27

O484;TB34(固体物理学)

2007-10-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

3-5,9

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1005-4642

22-1144/O4

27

2007,27(8)

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