低真空条件下制备的银薄膜的电阻率特性及结构

摘要：

研究了在2.2 Pa低真空条件下用直流溅射法制备的银薄膜的电阻率特性和薄膜结构.实验表明,薄膜厚度对薄膜电阻率有显著影响,随膜厚的增加薄膜电阻率降低,在膜厚大于200 nm时趋于稳定,电阻率为2.54×10-8 Ω·m.薄膜表面和晶粒间界对传导电子的散射导致了银薄膜电阻率的尺寸效应.研究结果表明,可以在2.2 Pa的低真空条件下制备金属银薄膜,将银靶用于目前大学物理实验课中金属薄膜制备及金属薄膜电阻率测量实验是可行的.

关键词：银薄膜、电阻率、结构

所属期刊栏目：27

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：北京科技大学国家工科物理基础课程教学基地项目;北京科技大学校科研和教改项目;中国高等教育学会教育科学研究规划课题

在线出版日期：2007-04-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：3-6,13