10.3969/j.issn.1005-4642.2006.03.004
GaN氢化物气相外延生长系统的设计与制作
根据GaN氢化物气相外延生长(HVPE)的原理,设计制作了双温区卧式HVPE系统.根据实际生长中出现的问题和GaN样品的测试情况,对系统进行了逐步的调试和改进.
氢化物气相外延、GaN、双温区
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TN304.055;TN304.23(半导体技术)
2006-04-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
16-18
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10.3969/j.issn.1005-4642.2006.03.004
氢化物气相外延、GaN、双温区
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TN304.055;TN304.23(半导体技术)
2006-04-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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