偏压对空心阴极放电等离子体溅射制备氮化碳薄膜的影响

摘要：

利用空心阴极放电等离子体源在Si(100)单晶衬底上沉积了氮化碳薄膜.薄膜的表面形貌表明所得的薄膜非常的均匀光滑.用X光电子能谱、拉曼和红外吸收光谱对薄膜的结构、成分和化学键等进行了研究.在拉曼光谱中可以看到典型的G,D和C=N键的峰.当偏压为250 V时,薄膜拉曼光谱中的D峰完全消失,此时薄膜的N/C比达到了0.81.通过对薄膜的XPS分析也表明薄膜中C-C,sp2CN和sp3CN键的组分也发生了明显的变化.当偏压为250 V时薄膜的sp3CN相的含量达到了最大值为40%,同时氮含量也达到了最大值.实验结果给出了直接的证据:薄膜的结构模式可以通过改变偏压来得到控制.

关键词：氮化碳薄膜、直流空心阴极放电、偏压

所属期刊栏目：25

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：上海市科委资助项目0252nm110;重庆市应用基础研究基金03077;波多黎各大学校科研和教改项目

在线出版日期：2006-02-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：15-19