气相助剂辅助绝缘衬底上石墨烯生长:现状与展望

摘要：

借助化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)技术在绝缘衬底上直接生长的石墨烯薄膜,在能源存储/转换等领域有着广阔的应用前景.然而,绝缘衬底表面石墨烯的生长呈现成核密度高、畴区尺寸小、生长速率低等特点,获得的石墨烯薄膜往往具有较高的晶界密度和较低的层数均匀度,严重制约着石墨烯基器件性能的发挥.在反应体系中引入气相助剂可有效降低碳源裂解和石墨烯生长的能垒,从而实现石墨烯品质与生长速率的提升.本文综述气相助剂辅助绝缘衬底上石墨烯制备的方法:首先对绝缘衬底上石墨烯的生长行为进行分析;随后着重介绍几类常见的气相助剂辅助石墨烯生长的策略和机理;最后,总结绝缘衬底上制备高品质石墨烯存在的挑战,并对未来的发展方向进行展望.

关键词：石墨烯、化学气相沉积、绝缘衬底、气相助剂

所属期刊栏目：39

分类号：O647(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家重点研发计划;国家自然科学基金;国家自然科学基金;北京分子科学国家研究中心;北京市科学技术委员会资助

在线出版日期：2023-03-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：29-40