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10.3866/PKU.WHXB202006005

PbTiO3/SrTiO3(010)界面位错与电子富集的研究

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1 背景介绍 钙钛矿氧化物界面的物理特性,可以通过晶格匹配、应力、极化场等参数进行有效的调控,组合多种优异性质以实现复合功能与多场调控.在铁性异质结材料中,晶格缺陷也可以作为界面调控的手段之一.例如,位错附近的晶格畸变会使铁电材料产生局域应变场,造成局域自发极化强度的显著变化1.氧化物材料中,缺陷核心区域不仅展示出晶体结构和化学组分的改变(如氧浓度),局域晶格的畸变也会导致不同于基体本身的新性能出现,比如导电性等2.在铁电材料中,缺陷的类型、分布、密度等特性不仅影响铁电畴界面的形成和结构,而且影响异质薄膜中界面序参量的耦合机制.因此,研究铁电氧化物异质界面以及界面位错区域的原子结构与电子结构,对于优化、改进材料体系以及加深对材料物理机理的理解十分必要.

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2020-12-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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物理化学学报

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2020,36(11)

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