基于CH3NH3PbI3单晶的Ta2O5顶栅双极性场效应晶体管
具有无机-有机杂化钙钛矿结构的CH3NH3PbI3通常偏向于显示n型半导体特性,本文以五氧化二钽(Ta2O5)作为绝缘层,制备了基于钙钛矿CH3NH3PbI3单晶的顶栅结构场效应晶体管,暗态下更明显地观察到了CH3NH3PbI3所具有的p型场效应特性,空穴场效应迁移率达到8.7× 10-5cm2·V-1·s-1,此暗态空穴迁移率比原有报道的基于CH3NH3PbI3多晶薄膜的SiO2底栅场效应晶体管提高了一个数量级.此外,光照对CH3NH3PbI3单晶场效应晶体管的性能有强烈影响.与底栅结构CH3NH3PbI3多晶场效应晶体管不同,即使有栅极和绝缘层的遮挡,5.00 mW· cm-2的光照仍可使CH3NH3PbI3单晶场效应晶体管的空穴电流提高一个数量级(VGS(栅源电压)=VGS(漏源电压)=20 V),光响应度达到2.5A·W-1.本文工作实现了对CH3NH3PbI3场效应晶体管载流子传输的选择性调控,表明在没有外部因素的参与下,通过合适的器件设计,CH3NH3PbI3同样具有制备成双极性晶体管的潜力.
钙钛矿、五氧化二钽、场效应、迁移率、光照
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O649(物理化学（理论化学）、化学物理学)
The project was supported by the National Natural Science Foundation of China51173097,91333109;National Key Basic Research Program of China2013CB632900;Tsinghua University Initiative Scientific Research Program,China20131089202,20161080165;Open Research Fund Program of the State Key Laboratory of Low-Dimensional Quantum Physics,China KF201516.国家自然科学基金51173097,91333109;国家重点基础研究发展规划项目2013CB632900;清华大学自主科研项目20131089202,20161080165;低维量子物理国家重点实验室开放基金KF201516
2017-03-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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