Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳电池研究进展

摘要：

CdTe和Cu(In,Ga)(S,Se)2(ClGSSe)光吸收材料在新型化合物半导体太阳电池研究中占据着主导地位.尽管CdTe和CIGS太阳电池拥有较高的转换效率和先进的技术,但是仍存在着一些问题,如所用材料中的元素地壳丰度低或有毒,这阻碍了其未来的大规模应用.近年来,由于Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)薄膜太阳电池使用的元素地壳含量丰富且环境友好,逐渐成为了研究的热点.CZTSSe光吸收材料被认为能够取代CdTe和CIGS成为下一代光伏技术的潜力材料.基于此,本文将简单介绍CZTSSe材料的结构、性质和制备方法.重点阐述CZTSSe材料的组装技术和沉积方法的发展和优势,如基于真空的沉积方法和基于溶液的沉积方法,简述其优缺点.此外,本文对CZTSSe组装和CZTSSe纳米晶制备方法的最新研究进展也进行了总结.最后,对CZTSSe光伏技术的一些限制因素进行了分析,并对CZTSSe薄膜电池未来的研究前景进行了展望.

关键词：Cu2ZnSn(S、Se)4、薄膜、太阳电池、制备方法、研究进展

所属期刊栏目：32

分类号：O646(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金61376003资助项目 The project was supported by the National Natural Science Foundation of China 61376003

在线出版日期：2016-08-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共17页

页码：1330-1346