利用表面修饰调制GaAs纳米线的电子结构

摘要：

采用第一性原理的密度泛函方法,研究了利用表面修饰来调制GaAs纳米线的电子结构.在计算中考虑了几种不同的表面钝化材料(H、F、Cl、Br和I)对GaAs纳米线电子结构的影响.计算结果表明,不同的原子修饰GaAs纳米线时对其能带结构的调制主要取决于它们对纳米线表面态的饱和能力.表面修饰不仅可以调节GaAs纳米线的能隙大小,而且也可以调制其能隙类型.GaAs纳米线的电子结构由表面效应和量子限制效应共同来决定.使用不同材料修饰表面的GaAs纳米线的能隙随直径的变化幅度并不相同.表面修饰为实现同种直径和同种结构的GaAs纳米线的能带工程提供了一种新的途径.

关键词：GaAs纳米线、第一性原理计算、表面悬挂键、表面修饰、电子结构

所属期刊栏目：30

分类号：O641(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：The project was supported by the National Key Basic Research Program of China 9732010CB327600;National Natural Science Foundation of China61020106007,61376019;Natural Science Foundation of Beijing,China 4142038.国家重点基础研究发展规划项目9732010CB327600;国家自然科学基金61020106007,61376019;北京市自然科学基金4142038

在线出版日期：2014-12-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1841-1846