煅烧温度对阳极氧化WO3多孔薄膜的形貌及光电化学性能的影响
采用一步式阶跃电压加压方法,在NH4F/(NH4)2SO4电解质溶液中对W片进行阳极氧化处理制备了WO3多孔薄膜,通过后续热处理温度的控制,制备了性能规律性变化的WO3多孔纳米薄膜材料,用场发射扫描电镜(FE-SEM)、×射线衍射(XRD)分析等手段考察了热处理温度对氧化钨晶体结构和形貌影响的规律,在450.C以下的煅烧温度下,薄膜保持50-100 nm孔径:通过对光电化学性质、光催化降解甲基橙动力学行为的研究,考察了不同热处理温度对WO3多孔薄膜光电转换性能影响的规律.研究表明,450°C煅烧处理后的WO3薄膜在500W氙灯光源照射及1.2V偏压下,光电流密度达到5.11 mA.cm-2; 340及400 nm单色光辐射下光电转换效率(IPCE)值分别达到87.4％及22.1％.电化学交流阻抗谱显示,450°C煅烧处理后的WO3薄膜表现出最佳的导电率及最小的界面电荷转移电阻.实验结果证明,高结晶度的多孔结构足WO3溥膜具有高光电转换效率的主要因素,控制热处理温度是实现薄膜具有高孔隙率、完整结晶度、低电阻的重要手段.
三氧化钨多孔薄膜、光电化学性质、光降解、光电转换效率
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O646(物理化学（理论化学）、化学物理学)
国家高技术研究发展计划项目8632011AA050528;国家自然科学基金51072232,21171175
2012-06-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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