A-T碱基对单羟基自由基加成产物的单电子氧化还原性质

摘要：

采用密度泛函理论在B3LYP/DZP++//B3LYP/6-31 ++G(d,p)水平上研究A-T碱基对的单羟基加成产物的氧化还原性质.计算表明,所有8种加成复合物都表现出显著的氧化性,但其还原性却很弱.加成复合物AC2-T、AC4-T、AC5-T的俘获电子诱发T碱基N3位上的H原子向A碱基的N1位迁移,产生这种氢迁移的根源在于A碱基俘获电子后电子密度较大,有利于在A碱基上形成新的N-H键.

关键词：A-T碱基对、加成反应、羟基自由基、电子亲合势、单电子氧化还原

所属期刊栏目：28

分类号：O641(物理化学（理论化学）、化学物理学)

在线出版日期：2012-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：73-77