磁控溅射中靶-基底距离与Si共掺对ZnO:Al薄膜性质的影响

摘要：

使用射频磁控溅射,在正方形石英衬底上沉积透明导电掺Al的ZnO(AZO)和Si共掺AZO(AZO∶Si)薄膜.系统研究了靶-基底距离(Dst)和Si共掺对AZO薄膜电学、光学性质的影响.电阻率、载流子浓度和迁移率都强烈地依赖于靶一基底距离,随着靶-基底距离的减少,载流子浓度和迁移率都有显著的增加,电导率也随之提高.在靶-基底距离为4.5 cm处,得到最低电阻率4.94×10-4Ω·cm,此时的载流子浓度和迁移率分别是3.75×1020 cm-3和33.7 cm2· V-1·s-1.X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)和边界散射模型被用于分析载流子浓度、迁移率和靶一基底距离的关系.透射谱显示,在可见-近红外范围内所有样品均有大于93%的平均透射率,同时随着靶基距离的减少,吸收边蓝移.AZO:Si表现出可与AZO相比拟的高电导和高透射光学特性,但在热湿环境中却有着更好的电阻稳定性,这在实际使用中很有意义.

关键词：AZO、AZO∶Si、靶-基底距离、射频磁控溅射

所属期刊栏目：27

分类号：O649(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：The project was supported by the Science & Technology Commission of Shanghai Municipality08DZ2270500,09JC1401300;National Natural Science Foundation of China20773031;National Key Basic Research Program of China9732007CB209702;National High-Tech Research and Development Program of China8632007AA032322.上海科学技术委员会08DZ2270500,09JC1401300;国家自然科学基金20773031;国家重点基础研究发展规划9732007CB209702;国家高技术研究发展计划8632007AA032322

在线出版日期：2011-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1232-1238