ITO导电玻璃表面直接电沉积Au的机理

摘要：

用循环伏安和电位阶跃法研究Au在氧化铟锡(ITO)透明导电膜玻璃表面的电沉积过程的初期阶段.发现在ITO表面Au的电沉积经历成核过程以及受[AuCl4]-扩散控制的晶核生长过程.通过改变扫描速率分析循环伏安曲线的变化,当扫描速率较快时,发现Au在ITO表面的沉积过程经历[AuCL2]-→[AuCl2]-→Au两步进行;当扫描速率较慢时,受歧化反应作用影响而只表现为一步沉积[AuCl4]-→Au.通过电位阶跃实验,验证了Au的两步沉积过程,并求得[AuCl4]-的扩散系数为1.3x10-5cm2.s-1.将成核曲线与理论曲线对照,得出Au在ITO表面的沉积符合瞬时成核理论.通过场发射扫描电镜(FE-SEM)对Au核形貌进行分析,根据扫描电镜图可以得到阶跃时间和阶跃电位对电沉积Au的形貌的影响.

关键词：氧化铟锡导电玻璃、金纳米粒子、电沉积、成核机理

所属期刊栏目：27

分类号：O646(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金20873112;国家光电子晶体材料工程技术研究中心开放课题2005DC105003

在线出版日期：2011-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：641-646