隧道结电场辅助下叔丁胺分子在Cu(111)表面跳跃

摘要：

采用扫描隧道显微镜(STM)于78K研究了单个叔丁胺分子在Cu(111)表面的横向跃迁现象.研究发现叔丁胺分子的跳跃几率随隧道电流的增加而线性增加,这表明该过程是单电子激发过程;在不同极性的隧道结电场作用下,叔丁基胺分子跳跃行为发生的几率不同,这种现象可以用电场辅助的扩散过程解释.在不同极性电场作用下叔丁胺分子在Cu(111)表面的吸附能和扩散势垒不同,从而表现出不同的跳跃几率.

关键词：扫描隧道显微镜、单分子、跳跃现象、电子激发、隧道结电场

所属期刊栏目：26

分类号：O641;O647(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划项目9732006CB921502;中国科学院知识创新工程项KJCX2-YW-M04

在线出版日期：2010-12-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2686-2690