Si(001)表面分子束外延生长的小尺寸Ge量子点

摘要：

通过调节生长参数,在Si(001)衬底表面利用分子束外延(MBE)方法生长得到尺寸小于10 nm的高密度Ge量子点.扩展的X射线吸收精细结构(EXAFS)的研究结果表明,在500℃和550℃制备的小尺寸量子点内,GeSi合金的含量分别为75%和80%.经热力学分析,在量子点生长完成后的退火过程中,可能存在Si原子从衬底表面向量子点表面扩散,并和Ge原子通过表面偏析发生混合的过程.另一方面,小尺寸量子点较高的高宽比,也会导致形成较高含量的GeSi合金.

关键词：Ge量子点、扩展的X射线精细吸收结构、互扩散

所属期刊栏目：23

分类号：O641;TN304(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金50572100

在线出版日期：2007-07-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：841-845