Ta2O5/Si薄膜界面结构及光催化活性

摘要：

利用溶胶-凝胶法和旋转镀膜法在单晶Si(110)基底上制备了Ta2O5光催化剂薄膜.薄膜颗粒的晶粒度和大小随着热处理温度的升高而增加.利用扫描俄歇电子能谱(AES)的表面成分分析、深度剖析和线形分析技术研究了热处理温度对Ta2O5/Si样品膜层和基底的界面化学状态和相互作用的影响规律.研究表明,在700℃以下热处理时,Ta2O5/Si薄膜界面处以扩散作用为主;在800℃高温热处理时,在界面扩散的同时也引发界面反应,生成了SiO2物种,界面扩散和界面反应会对薄膜和基底元素的化学价态发生影响.在紫外光下降解水杨酸的光催化活性的研究表明,在600℃下焙烧制备的Ta2O5/Si薄膜具有与TiO2/Si薄膜相当的光催化活性.

关键词：Ta2O5/Si薄膜、俄歇电子能谱、界面扩散、界面反应、光催化活性

所属期刊栏目：23

分类号：O644(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金20433010;25071047

在线出版日期：2007-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：625-629