不饱和类硅烯H2C=SiNaF的DFT研究

摘要：

用密度泛函理论方法,在B3LYP/6-31+G(d,p)水平上研究了不饱和类硅烯HaC=SiNaF的结构.结果表明,不饱和类硅烯H2C=SiNaF共有四种平衡构型,其中非平面的p-配合物型构型能量最低,是不饱和类硅烯H2C=SiNaF存在的主要构型.对平衡构型间异构化反应的过渡态进行了计算,求得了转化势垒.计算预言了最稳定构型的振动频率和红外强度.

关键词：不饱和类硅烯H2C=SiNaF、DFT、异构化

所属期刊栏目：22

分类号：O6(化学)

资助基金：国家自然科学基金20473029;烟台大学校科研和教改项目HY05B30;教育部重点实验室基金

在线出版日期：2006-06-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：653-656