聚吡咯纳米阵列电极的光电化学

摘要：

以多孔的铝阳极氧化膜(AAO)为模板制备了直径约为80 nm聚吡咯(PPy)纳米线的阵列电极,并研究了它的光电化学响应.结果表明,在电极电位低于-0.1 V(vs Ag/AgCl)时出现的阴极光电流是由聚吡咯纳米线的p型半导体性质引起的,其平带电位为-0.217 V.聚吡咯纳米线的长度对光电流的影响较大,最佳长度为42 nm.这是因为在很短的聚吡咯纳米线阵列中pPy太少,产生的光电流弱,而在过长的聚吡咯纳米线阵列中光生电子在到达电极基底前易于与光生空穴复合而消失.聚吡咯纳米线有可能作为纳米光电器件用于未来微器件系统.

关键词：聚吡咯、阳极氧化铝膜、纳米线阵列、光电化学

所属期刊栏目：22

分类号：O646(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：中国科学院资助项目20333040;复旦大学校科研和教改项目

在线出版日期：2006-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：261-264