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电化学沉积羟基磷灰石过程晶体生长行为

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采用恒电流电化学沉积方法从含钙与磷盐水溶液中直接在纯金属钛电极表面沉积纳米羟基磷灰石涂层,运用EDS、SEM、XRD、FTIR等方法对其进行表征.重点考察了一种典型制备条件下钙磷沉积层的形貌、结构及组分随沉积时间的变化,进而探讨相应条件下电化学沉积羟基磷灰石涂层晶体生长过程的基本规律.研究表明电化学沉积法可用于在医用金属表面直接涂覆含钙离子缺陷的纳米羟基磷灰石涂层,典型条件下涂层的生长规律为:(1)沉积过程中羟基磷灰石晶粒以c轴方向沿沉积面法线方向择优生长,且这一趋势延续整个沉积过程;(2)内层晶粒的生长受到外层晶粒生长的抑制,对于同层的晶粒,当晶粒分布密集时,晶粒生长可能发生相互制约;(3)随沉积时间的延长,沉积量增加,而膜层的化学组成基本不发生变化.

羟基磷灰石涂层、电化学沉积、晶体生长、沉积时间

21

O646(物理化学(理论化学)、化学物理学)

国家自然科学基金20273055;高等学校博士学科点专项科研项目20020384012;国家高技术研究发展计划863计划2003AA302230

2005-03-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

197-201

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物理化学学报

1000-6818

11-1892/O6

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2005,21(2)

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