三甲基氯硅烷对纳米多孔二氧化硅薄膜的修饰

摘要：

以正硅酸乙酯为先驱体,采用溶胶凝胶法,结合旋转涂胶、超临界干燥工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜.用三甲基氯硅烷(TMCS)对该SiO2薄膜进行了表面修饰,采用FTIR、TG-DTA、AFM和椭偏仪等方法研究了TMCS修饰前后薄膜的结构、形貌、厚度与介电常数等性能.超临界干燥后的SiO2薄膜含有Si-O-Si与Si-OR结构,呈疏水性.在空气中250℃以上热处理后SiO2薄膜因含有Si-OH而呈吸水性.TMCS修饰后的SiO2薄膜在温度不高于450℃时可保持其疏水性和多孔结构.SiO2薄膜经TMCS修饰后基本粒子和孔隙尺寸增大,孔隙率提高,介电常数可降低至2.5以下.

关键词：纳米多孔SiO2薄膜、溶胶凝胶、三甲基氯硅烷、低介电常数(lowκ)

所属期刊栏目：20

分类号：O484.4;O613.72(固体物理学)

资助基金：国防预研基金41312040307

在线出版日期：2005-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1399-1403