半花菁染料LB膜的铁电性与厚度关系

摘要：

报道了半花菁染料LB膜铁电性与膜厚度的依赖性.根据所测得的电滞回线发现,矫顽电场(Ec)随薄膜厚度(以薄膜的层数N表示)的增加而减少,在薄膜厚度为30～200 nm的范围内,它们之间的关系可用幂指数公式表示为Ec∝N-4/3,这种关系与其它传统的无机铁电材料完全相同.通过样品介电和铁电性能的测量,以存贮元件的物理参量-优值(Ps/εrEc)作为参比标准,可得铁电半花菁染料LB膜的最佳厚度为60 nm,且其优值的数值与偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物P(VdF-TrFE)(n:n=70:30)的优值数值处在同一数量级上.

关键词：LB膜、铁电性、电滞回线、矫顽电场、存贮元件的优值

所属期刊栏目：20

分类号：TB3(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金60378035,10274014,19704004;上海市教育发展基金会资助项目;上海市教委"曙光计划";教育部留学回国人员科研启动基金;国家重点实验室基金

在线出版日期：2004-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1253-1257