亚硫酸根离子在硅和二氧化硅的湿法腐蚀中的作用

摘要：

运用光刻技术和原子力显微技术(AFM)研究了亚硫酸根离子对硅和二氧化硅在40%(w)氟化铵水溶液中腐蚀速率的影响.结果表明硅和二氧化硅的腐蚀速率和亚硫酸根离子浓度有关.高分辨X射线光电子能谱(XPS)分析在有/没有亚硫酸根的溶液中腐蚀后的硅和二氧化硅表面氟元素的结果表明在这两种溶液中腐蚀得到的表面化学成分是有差别的.实验结果证明亚硫酸根离子在硅和二氧化硅的湿腐蚀中不只是表现为一种除氧剂,还干预了表面腐蚀反应过程.

关键词：硅、二氧化硅、腐蚀速率、氟化铵、亚硫酸铵、光刻术

所属期刊栏目：20

分类号：O647(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家研究发展基金TGl999075305,TG2000077503;国家自然科学基金29973003,20333010

在线出版日期：2004-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：612-615