DPA(TCNQ)2的烧孔阈值电压对脉宽的依赖关系

摘要：

合成了一种新的二元电荷转移复合物DPA(TCNQ)2(二丙胺-7,7,8,8-四氰基对亚甲基苯醌),并得到了其单晶ab面的STM高分辨图像,表面晶格常数与体相晶格常数的XRD数据完全一致.用STM成功地写入了5×5的信息点阵,并在5.1μm×5.1 μm的面积上写入更大规模的信息点阵,写入的可靠性和稳定性都很高.实验发现,烧孔阈值电压强烈依赖于脉宽,这一现象不支持场致蒸发的机理.理论分析表明,它支持热化学烧孔的机理.

关键词：DPA(TCNQ)2(dipropylamine tetracyanoquinodimethane)、高分辨STM图像、场致蒸发、热化学烧孔机理

所属期刊栏目：20

分类号：O641(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金6989022;国家自然科学基金29973001;国家重点基础研究发展计划973计划2001CB6105

在线出版日期：2004-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：561-564