高压Na2O-SiO2系输运性质反常的分子模拟
在6000K,0~100GPa范围内,对一系列Na2O-SiO2二元系进行了分子动力学模拟.这些体系包括SiO2、Na2O·10SiO2、Na2O·5SiO2、Na2O·2SiO2、Na2O·SiO2、2Na2O·SiO2.模拟结果显示,在前4个体系中,氧扩散系数随压力变化反常.在Na2O·10SiO2,Na2O·5SiO2,Na2O·2SiO2中,硅的扩散系数随压力变化也出现反常.在这些体系中,20GPa处氧的扩散系数比常压下高出一个数量级.在上述各体系中,氧扩散系数随压力变化的峰值都在20GPa处,以前报导的SiO2体系中氧扩散系数随压力变化的峰值在30GPa处.还观察到,在SiO2体系中,氧扩散系数最大值大致相当于硅-氧配位数以五配位为主;而在Na2O·10SiO2体系中,氧扩散系数最大值大致相当于硅-氧配位数以六配位为主.
分子动力学模拟、Na2O-SiO2二元体系、硅-氧配位数、输运性质反常、高压物理
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O643;O646(物理化学(理论化学)、化学物理学)
上海市科委资助项目0252NM101
2004-04-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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237-239