高度取向 ZnO单晶亚微米棒阵列的制备与表征

摘要：

通过低温压热的方法 ,在经过预先处理长满晶核的 SnO2导电玻璃基底上制备出具有高度取向的 ZnO亚微米棒阵列 .用扫描电子显微镜 (SEM)、选区电子衍射 (SAED)及 X射线粉末衍射 (XRD),对制备出的 ZnO亚微米棒的结构和形貌进行了表征 .SEM测试结果表明 ,ZnO亚微米棒是六方型的 ,近乎垂直地长在基底上 ,棒的直径为 400～ 500 nm,长度约为 2 μ m.SAED和 XRD结果表明 ,ZnO亚微米棒为单晶 ,属于六方晶系 ,并且沿 [001]方向择优取向生长 .

关键词：ZnO、亚微米棒、定向生长、水热法、SEM、选区电子衍射(SAED)、XRD

所属期刊栏目：19

分类号：O641(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金20073003

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：478-480