金属-聚哇烷-硅结构的电容-电压特性
设计了metal-polysilane-silicon (MPS)结构.首次发现MPS结构具有电容-电压(C-V)特性,许多MPS结构的C-V曲线平带电压为正,且其C-V特性与聚硅烷枝化度一致,即随着聚硅烷枝化度提高,MPS结构C-V曲线明显向电压轴正向漂移.有希望设计成测定聚硅烷枝化度装置.
聚硅烷、MPS结构、C-V特性曲线、平带电压、枝化度
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O631;O646(高分子化学(高聚物))
国家自然科学基金29771024,59873015;国家重点基础研究发展计划973计划G2000067203-2
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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