COT-H在金属Ru表面上沉积的光电子能谱分析

摘要：

采用紫外光电子能谱(UPS),分析了不对称四苯基四苯乙炔基环辛四烯(COT-H)有机发光材料与金属之间的界面电子结构,研究了在金属/COT-H界面上的逸出功变化.UPS谱中位于费米能级以下5.6、7.9和10.2eV处的三个谱峰分别来自于COT-H材料中苯环的πCC、σCC和σCH轨道.位于3.8eV处的谱峰反映了八个苯环聚合后具有π轨道特性的C-C键.从UPS谱图中可以看到,COT-H材料的最高占有态(HOS:highestoccupiedstate)位于费米能级以下1.8eV处.COT-H材料的逸出功只有3.2eV,比清洁Ru表面的逸出功小1.0eV.角分辨紫外光电子能谱(ARUPS)的结果表明,组成COT-H分子应该近似平行于衬底表面.

关键词：有机发光材料、紫外光电子能谱、界面电子结构、环辛四烯(COT)

所属期刊栏目：18

分类号：O647(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金10074054,20074032

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：30-33