10.3969/j.issn.1001-0777.2007.01.006
NbSe2晶体的制备及电学特性的研究
文章对蜡源方波材料NbSe2晶体的制备及其电学特性进行综述,介绍了利用化学气相输运法制备NbSe2晶体.测试出NbSe2晶体的临界温度为7.2K,30 K附近发生CDW转变,出现了CDW和超导电性共存的现象,通过分析NbSe2晶体的ρ-T曲线和NbSe2晶体的XRD图谱,讨论了低温下NbSe2晶体的重入现象.
NbSe2、电学特性、综述
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TG146(金属学与热处理)
2007-04-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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