二维铁谷材料与多铁耦合
谷电子材料通过调节谷自由度编码和处理信息,在下一代信息存储器件中极具应用潜力.谷自由度与多种铁性序参量相互耦合,可以实现非易失的信息存储,这同时促进了谷物理和多铁性物理的发展.文章首先介绍谷电子学物理背景,列举出各类存在自发谷极化的本征谷材料,随后概述二维多铁材料的磁电谷耦合.最后,关注了谷电子器件最新进展,对二维铁谷材料多铁耦合的发展前景做出展望.
二维材料、铁谷材料、多铁耦合、谷电子器件
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TB341;TM221;TN103
国家自然科学基金;国家重点研发计划;上海市科技创新行动计划资助项目;上海市科技创新行动计划资助项目
2023-03-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共10页
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