薄膜异质结及二维材料中的磁斯格明子

摘要：

磁斯格明子因具有拓扑稳定、移动速度快、尺寸小、驱动电流密度低等优异性质引起了人们的广泛关注.它被视作未来超高密度磁存储和逻辑功能器件的理想信息载体.基于磁斯格明子的自旋电子学器件具有非易失、高读写速度、高存储密度以及低功耗的优势,从而能满足人们对高性能器件的要求.此外,拓扑性与磁性的结合使得磁斯格明子成为研究拓扑磁性物理的良好平台.文章简要介绍了磁斯格明子的发展概况及其拓扑物理性质,并着重讨论薄膜异质结及二维材料中磁斯格明子的研究进展,为今后进一步探索磁斯格明子相关研究领域抛砖引玉.

关键词：拓扑磁性、磁斯格明子、Dzyaloshinsky—Moriya相互作用

所属期刊栏目：51

分类号：TN313.2;O469;TN431.2

资助基金：国家自然科学基金;中国科学院前沿科学重点研究计划项目;浙江省自然科学基金资助项目

在线出版日期：2022-07-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：465-472