二维半导体中的能谷电子学

摘要：

文章介绍了能谷电子学背后的基本物理原理,并回顾了此方向在材料实现上的进展.在理论背景部分简单回顾了基本模型和有关贝里曲率导致量子输运和光选择的重要概念,在材料实现部分除了总结在真实材料中重要的实验和理论的发现,也讨论了在这些材料中的自旋轨道耦合和近邻诱导的塞曼效应,最后展望了能谷电子学的发展前景.

关键词：能谷电子学、二维半导体、单层过渡金属二硫化物

所属期刊栏目：45

资助基金：国家重点基础研究发展计划批准号:2013CB921900、国家自然科学基金批准号:11322433资助项目

在线出版日期：2016-10-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：494-504