氮掺杂Sb2Te3相变材料的脉冲激光沉积法制备与性能研究

摘要：

Sb2Te3(ST)薄膜虽然具有高结晶速度和低结晶温度(~132℃)等优点，但由于复位电压过高，无法直接用于制备相变存储器件。文章作者尝试使用脉冲激光沉积法(PLD)制备了氮掺杂的Sb2Te3薄膜。用原子力显微镜(AFM)对此薄膜进行测试的结果表明，脉冲激光沉积法制备的生成态ST薄膜和氮掺杂ST薄膜表面粗糙度分别为0.12 nm和0.58 nm，表面较为平整。研究表明，PLD法制备的氮掺杂ST薄膜具有更好的组分稳定性，可显著提高薄膜低阻态电阻值，降低复位功耗，氮掺杂量在6 at%的ST薄膜的置位电压和复位电压适中，显示出较好的综合性能。

关键词：相变材料、脉冲激光沉积、N掺杂Sb2Te3、低功耗

分类号：TB4;TN3

在线出版日期：2013-12-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：873-880