拓扑绝缘体薄膜生长与栅电压调控输运特性研究

摘要：

文章讨论了三维拓扑绝缘体制备和输运性质研究方面的进展情况.首先介绍了拓扑绝缘体体材料和薄膜的制备,并介绍了文章作者利用分子束外延方法,在硅表面以及高介电常数材料钛酸锶表面生长高质量拓扑绝缘体Bi2 Se3薄膜的工作.然后介绍了拓扑绝缘体输运研究的现状,以及文章作者在栅电压调控拓扑绝缘体外延薄膜的化学势和输运性质方面的研究成果.

关键词：拓扑绝缘体、薄膜、电子输运、Bi2 Se3

所属期刊栏目：40

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10874210;10974240;国家重点基础研究发展计划2007CB936800;2009CB929101

在线出版日期：2011-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：440-448