10.3321/j.issn:0379-4148.2009.06.008
磁性隧道结的隧穿磁电阻效应及其研究进展
文章概括地介绍了磁性隧道结(MTJs)的隧穿磁电阻(TMR)效应的产生机理和特点,主要用途和研究背景以及最近几年的研究进展和现状.对用Al2O3和MgO做绝缘势垒层的MTJs进行了对比,指出用MgO做绝缘势垒层的MTJs的优点.文章还阐明了交换偏置自旋阀(EB-SV)型MTJs的问题和不足,以及新兴的赝自旋阀(PSV)型MTJs的优势.文章最后总结了用于MTJs的各种铁磁层和绝缘势垒层材料,并对TMR材料今后的研究和开发作了展望.
凝聚态物理学、隧穿磁电阻(TMR)、综述、磁性隧道结(MTJs)、交换偏置自旋阀(EB-SV)、赝自旋阀(PSV)
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O4(物理学)
兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室开放基金
2009-07-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
420-426