硅薄膜晶体管液晶显示器的发展

摘要：

在当前迅速发展的液晶显示技术中,薄膜晶体管液晶显示器以其大容量、高清晰度和高品质全真彩色[1]受到人们的广泛青睐.薄膜晶体管液晶显示器的显示质量和整体性能在很大程度上取决于薄膜晶体管性能,薄膜晶体管(TFT)是众多场效应晶体管(FET)中的一种[2].非晶硅用于制作薄膜晶体管液晶显示器技术的成熟,使非晶体薄膜晶体管液晶显示器在薄膜晶体管液晶显示器的市场中占据了主导地位,而非晶硅薄膜晶体管由于其低迁移率、电导率[3]等性能,严重制约了薄膜晶体管液晶显示器的发展,寻找合适的替代品,追求高迁移率和高电导率一直是研究人员关注的焦点,在此基础上,多晶硅、微晶硅相继发展,虽然在一定程度上暂时解决了迁移率、电导率低的问题,但因多晶硅、微晶硅的价格昂贵、材料短缺,因而未能动摇非晶硅的主导地位.随后的纳米硅薄膜晶体管液晶显示器依靠其本身具有高电导率、高迁移率[4-6]的优越性以及当前纳米技术的进展而成为一个引人注目的新亮点.

关键词：液晶显示器、非晶硅、纳米硅

所属期刊栏目：38

分类号：TN87(无线电设备、电信设备)

资助基金：江苏省六大人才高峰计划06-D-022

在线出版日期：2009-05-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：186-190