超高密度电学信息存储研究进展
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10.3321/j.issn:0379-4148.2006.09.019

超高密度电学信息存储研究进展

引用
21世纪是经济信息化、信息数字化的高科技时代,信息的爆炸式增长及电子器件持续微型化的要求需要不断研究和开发更高存储密度、更快响应速度、更长存储寿命及可反复读、写的材料和器件.在纳米/分子尺度上实现存储功能的超高密度信息存储已成为当前信息领域一个倍受关注的研究热点.本文从存储材料和技术角度介绍了基于电学双稳态的超高密度信息存储最新研究进展.

超高密度信息存储、纳米/分子电子学、扫描探针显微镜

35

O4(物理学)

国家自然科学基金50173028;90201036;20421101

2006-10-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

773-778

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物理

0379-4148

11-1957/O4

35

2006,35(9)

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