自组生长的硅纳米管的稳定性研究

摘要：

文章作者的研究小组在世界上首次合成自组生长的硅纳米管(SiNTs)后,对它的稳定性研究又获得进展.采用5wt%的HF酸对自组生长的硅纳米管的稳定性进行了研究,研究表明HF酸可以去除硅纳米管的氧化物外层,只剩下晶体硅纳米管,说明所得到的硅纳米管是一种稳定结构,因而使其应用研究开发成为可能.研究表明,硅纳米管的稳定性与其生长形成过程密切相关.

关键词：自组生长的硅纳米管、稳定性、腐蚀、生长机理

所属期刊栏目：35

分类号：TN3;TB3

资助基金：高等学校博士学科点专项科研项目20040532014;新世纪优秀人才支持计划

在线出版日期：2006-06-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：466-468