C59N单分子整流器

摘要：

通过将单个C59N分子置于双势垒隧道结中,从而利用单电子隧穿效应和C59N分子的特殊能级结构,我们成功地实现了一种新型的单分子整流器件.实验中这个整流器件的正向导通电压约为0.5-0.7 V,反向击穿电压约为1.6-1.8 V.理论分析表明,中性C59N分子的半占据费米能级以及在不同充电情况下费米能级的不对称移动是形成整流效应的主要原因.其构成原理也决定了该器件具有稳定、易重复的特点.

关键词：电子物理学、整流效应、扫描隧道显微镜(STM)、单电子隧穿(SET)、C59N

所属期刊栏目：35

分类号：O4(物理学)

资助基金：科技部科研项目G1999075305,G2001CB3095,G2003AA302660;中国科学院资助项目50121202,10474087;中国科学院超级计算中心资助项目

在线出版日期：2006-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：188-192