10.3321/j.issn:0379-4148.2006.01.013
基于交叉结构的分子电子器件及其逻辑电路的研究进展
随着大规模集成电路的特征尺寸进入到纳米级,传统的硅基集成电路技术面临挑战,新材料及新结构的研究成为热点,纳电子学分支之一的分子电子器件正在蓬勃发展.场效应晶体管(FET)和交叉结构是目前主要的分子电子器件的结构,而交叉结构有利于集成受到广泛关注.文章概述了基于交叉结构的分子纳米器件工作原理、工艺流程,并着重介绍了逻辑功能的实现方法及其研究进展.最后,总结了交叉结构的前景及所面临的困难.
交叉、纳米压印、逻辑电路、分子电子学
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O4(物理学)
国家科技攻关项目2004AA302G13;中国科学院资助项目90401002,60236010
2006-03-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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