有机场效应晶体管材料及器件研究进展
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3321/j.issn:0379-4148.2005.06.011

有机场效应晶体管材料及器件研究进展

引用
有机场效应晶体管(organic field-effect transistor, OFET)作为新一代半导体晶体管因其广阔的应用前景和近年来技术上的突飞猛进,使之成为微电子和信息领域科学研究和产品开发中热门的话题之一.文章概述了有机场效应晶体管的材料研究、器件制备技术以及有机场效应晶体管在各领域中应用的最新进展.

有机场效应晶体管、有机半导体、制备技术

34

O4(物理学)

中国博士后科学基金2003034285;上海市科委资助项目2F5B

2005-07-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共9页

424-432

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

物理

0379-4148

11-1957/O4

34

2005,34(6)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn