相变型半导体存储器研究进展

摘要：

文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题.C-RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点,被认为最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器主流产品.

关键词：相变型半导体存储器、相变材料、器件设计、器件失效

所属期刊栏目：34

分类号：TP33(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2003AA302720,2004AA302G20;上海市纳米科技专项基金0352nm016,0452nm012;中国博士后科学基金2003034308;王宽诚教育基金;中国科学院知识创新工程项目;科技部专项基金2001CCA02800;上海市科委资助项目04DZ05612,04ZR14154,AM0414

在线出版日期：2005-06-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：279-286